Silicium met nanoporiën sluit licht uit • Metaal Magazine Ga naar hoofdinhoud

Silicium met nanoporiën sluit licht uit

Onderzoekers van het Mesa Instituut voor
Nanotechnologie van Universiteit Twente, het FOM-Instituut voor Atoom- en
Molecuulfysica in Amsterdam en ASML hebben een nieuwe methode ontwikkeld voor
het maken van nanoporiën in silicium. Zo zijn ze er in geslaagd nanoporiën met
een recorddiepte te maken. Men kan deze nieuwe structuren bijvoorbeeld toepassen
in chemische sensoren en als condensator in hoge-frequentie elektronica.

De onderzoekers brachten de gewenste structuren aan in een fotogevoelige lak door middel van zogenaamde diep-ultraviolet ‘step-and-scan’ lithografie, die is ontwikkeld door ASML. De lak verandert onder invloed van UV-licht en diende als masker: afgedekt silicium blijft over en niet-afgedekt silicium wordt verwijderd door etsen. Vervolgens hebben de onderzoekers het plasma-etsproces dat de industrie routinematig gebruikt, grondig aangepast voor het maken van zeer diepe nanoporiën.
 
Zo slaagden de onderzoekers er in om een aspect ratio van meer dan 16 te halen, een wereldrecord. De aspect ratio is de verhouding tussen de diepte van de porie en de diameter, een belangrijke maat voor dit soort nanoporiën. De nanoporiën hebben een diepte tot 8 micrometer (1 micrometer is één miljoenste meter) en een diameter van 310 tot 515 nanometer (1 nanometer is één duizendste van een miljoenste meter).
 
Afstanden tussen de poriën variëren van 440 tot 750 nanometer. De onderzoekers ontdekten dat het beperken van ongewenst etsen van de zijwanden tijdens het etsproces de cruciale factor is waardoor ze de grote diepte konden bereiken.

Geef een antwoord

Het e-mailadres wordt niet gepubliceerd.

Deze site gebruikt Akismet om spam te verminderen. Bekijk hoe je reactie-gegevens worden verwerkt.

x
Mis niet langer het laatste nieuws

Schrijf u nu in voor onze nieuwsbrief.

Inschrijven