‘Nano-sandwich’ kan nog veel kleiner • Metaal Magazine Ga naar hoofdinhoud

‘Nano-sandwich’ kan nog veel kleiner

MRAM-geheugenelementen kunnen nog minstens een factor
tien kleiner worden gemaakt. Dat laat Corine Fabrie zien met haar
promotieonderzoek aan de Technische Universiteit Eindhoven. Hiermee is een snel,
betrouwbaar en zuinig computergeheugen weer een stap dichterbij gekomen. Fabrie
promoveert op 26 februari.

Het grote voordeel van MRAM (Magnetic Random Access Memory) boven gewoon, elektrisch RAM-geheugen is dat het permanent is en daardoor geen opstarttijd vergt. Ook gebruikt het minder stroom. In 2006 kwam voor het eerst op de markt.
 
Micrometer
De elementen waaruit het geheugen is opgebouwd, waren toen 1 bij 1,25 micrometer groot. Promovenda Corine Fabrie slaagde erin elementen van slechts 50 nanometer kan maken; zo’n twintig keer kleiner. Hiermee wordt MRAM met een grotere geheugeninhoud mogelijk en komt het gebruik in computers dichterbij.
 
De basis van MRAM-geheugen is een opmerkelijk natuurkundig effect, dat zich voordoet als een niet-magnetisch materiaal gesandwicht wordt tussen twee dunne magnetische lagen. Afhankelijk van de magnetisatierichtingen in de buitenste lagen is de elektrische weerstand van de tussenlaag hoog of laag. Zijn de magnetisaties gelijk gericht, dan is de weerstand laag en loopt er een grote stroom. Staan ze echter tegen elkaar in gericht, dan is de weerstand hoog. In 2007 kregen de ontdekkers van dit effect de Nobelprijs voor natuurkunde.

Geef een antwoord

Het e-mailadres wordt niet gepubliceerd.

Deze site gebruikt Akismet om spam te verminderen. Bekijk hoe je reactie-gegevens worden verwerkt.

x
Mis niet langer het laatste nieuws

Schrijf u nu in voor onze nieuwsbrief.

Inschrijven